Суббота, 23.11.2024, 20:40Приветствую Вас Гость | RSS
GASPARYAN VLAD(AKA G.V.K.)
Меню сайта
Разделы новостей
Компьютеры [35]
Жизнь [17]
Звезды [1]
Спорт [2]
Автомобили [3]
Наш опрос
Как вам новый дизайн сайта?
Всего ответов: 7
Мини-чат
200
Главная » 2008 » Август » 27 » 45-нанометровая производственная технология Intel® на базе гафния
45-нанометровая производственная технология Intel® на базе гафния
14:23
Кратко: постоянные инновации. Благодаря использованию кардинально новых материалов, в том числе электронных схем на основе гафния, 45-нанометровая производственная технология Intel®, в которой используются металлические затворы и диэлектрики Hi-k, помогает значительно повысить производительность и энергосбережение процессоров и приступить к созданию совершенно новых компьютеров.


Благодаря революционной транзисторной технологии корпорации Intel процессоры Intel на базе 45-нанометровой технологии с использованием гафния и диэлектриков Hi-k получают исключительные преимущества. Эти революционные новые процессоры создают более разнообразные возможности для игр, мультимедиа и многозадачности на работе, дома и во время отдыха.

Категория: Компьютеры | Просмотров: 690 | Добавил: gasparyan | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Форма входа
Календарь новостей
«  Август 2008  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Поиск
Друзья сайта
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0